Method for dissolving a silicon dioxide layer

WO2014155166 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014155166
Aktenzeichen: EP14713255
Anmeldetag: 3. März 2014
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/67H01L21/673H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von