Silicon single crystal production apparatus, and silicon single crystal production method
WO2014156986
Art A1
2. Oktober 2014
Anmelder: Kyushu University, National University Corporation, National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014156986
- Aktenzeichen
- EP14773660
- Anmeldetag
- 20. März 2014
- Veröffentlichung
- 2. Oktober 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/06B22D27/04C01B33/02C30B11/00H01L31/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kyushu University, National University Corporation
National Institute for Materials Science - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyushu University
Kyushu University ist eine staatliche Universität in Fukuoka, Japan, mit Forschungsschwerpunkten in Natur- und Ingenieurwissenschaften.
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🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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Vertreten von
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