Semiconductor device manufacturing method, substrate processing device, and recording medium

WO2014157210 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Hitachi Kokusai Electric Inc. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014157210
Aktenzeichen: EP14775533
Anmeldetag: 25. März 2014
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316C01B33/113H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Kokusai Electric Inc.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi

Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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