Transistor architecture having extended recessed spacer and source/drain regions and method of making same

WO2014158198 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014158198
Aktenzeichen: EP13880098
Anmeldetag: 29. März 2013
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

26.633 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von