Method of implementing low dose implant in a plasma system

WO2014159530 Art A1 2. Oktober 2014

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014159530
Aktenzeichen: EP14775447
Anmeldetag: 12. März 2014
Veröffentlichung: 2. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01L21/02C23C16/513

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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