Method for forming semiconductor gate structure and semiconductor gate structure

WO2014161231 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: Tsinghua University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014161231
Aktenzeichen: EP13881296
Anmeldetag: 14. Juni 2013
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tsinghua University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Tsinghua University

Chinesische Universität mit Sitz in Peking, eine der führenden Forschungshochschulen des Landes. Aktiv in Ingenieurwissenschaften, Informatik, Materialwissenschaften und Naturwissenschaften sowie in zahlreichen technischen Anwendungsfeldern.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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