Tunnel Field-Effect Transistor

WO2014162624 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014162624
Aktenzeichen: EP13880716
Anmeldetag: 11. Oktober 2013
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336H01L29/66H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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