Method of improving ion beam quality in an implant system

WO2014164441 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014164441
Aktenzeichen: EP14778948
Anmeldetag: 10. März 2014
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/265H01J37/317

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc.

Varian Semiconductor Equipment Associates war ein US-amerikanischer Hersteller von Halbleiteranlagen, seit 2011 Teil von Applied Materials. Die Patente betreffen Ionenimplantation und Halbleiterfertigung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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