Vertical nand and method of making thereof using sequential stack etching and landing pad

WO2014164710 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014164710
Aktenzeichen: EP14720303
Anmeldetag: 11. März 2014
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/822H01L27/06H01L29/788H01L29/792H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von