Atomic Layer Deposition Of Hfaic As A Metal Gate Workfunction Material in Mos Devices

WO2014164742 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: Intermolecular, Inc., Globalfoundries Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014164742
Aktenzeichen: EP14778261
Anmeldetag: 11. März 2014
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C23C16/04H01L21/02H01L27/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Intermolecular, Inc.
Globalfoundries Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇰🇾 GlobalFoundries

GlobalFoundries ist ein Halbleiterhersteller, der als Auftragsfertiger (Foundry) Chips für zahlreiche Kunden produziert; die Gesellschaft ist auf den Cayman Islands registriert. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Software. Die Anmeldungen von 2000 bis 2018 betreffen unter anderem Kontaktstrukturen und Fertigungsverfahren für Halbleiterbauelemente.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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