Adjusting control gate overdrive of drain select gate transistors during programming of a 3d nand non-volatile memory

WO2014165460 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014165460
Aktenzeichen: EP14720447
Anmeldetag: 1. April 2014
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/56G11C16/04G11C16/10G11C16/34H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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