Method of forming transistor with metal contacts in barrier layer

WO2014165638 Art A1 9. Oktober 2014

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014165638
Aktenzeichen: EP14780329
Anmeldetag: 3. April 2014
Veröffentlichung: 9. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/778H01L21/338H05K3/40

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Texas Instruments Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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