Method of producing a through-substrate via in a semiconductor device and semiconductor device comprising a through-substrate via
WO2014166842
Art A1
16. Oktober 2014
Anmelder: ams AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014166842
- Aktenzeichen
- EP14715305
- Anmeldetag
- 4. April 2014
- Veröffentlichung
- 16. Oktober 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/768H01L23/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ams AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇩🇪
ams OSRAM
ams OSRAM International GmbH ist ein deutsch-österreichischer Hersteller von Sensoren und optoelektronischen Bauteilen, entstanden aus dem Zusammenschluss von ams und Osram.
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