Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

WO2014168224 Art A1 16. Oktober 2014

Anmelder: Hitachi Metals, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014168224
Aktenzeichen: EP14783092
Anmeldetag: 10. April 2014
Veröffentlichung: 16. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C23C14/34H01L21/363H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Hitachi Metals, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Proterial

Japanisches Unternehmen (frühere Firmierung Hitachi Metals), das Spezialstähle, Magnetwerkstoffe und Metallkomponenten für Industrie und Automobilbau herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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