Photodiode and manufacturing method therefor, and x-ray detector substrate and manufacturing method therefor

WO2014169518 Art A1 23. Oktober 2014

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014169518
Aktenzeichen: EP13882566
Anmeldetag: 20. Juni 2013
Veröffentlichung: 23. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/20H01L27/144H01L31/115

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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