Method for fabricating low temperature polysilicon, low temperature polysilicon thin film, and thin film transistor

WO2014169601 Art A1 23. Oktober 2014

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014169601
Aktenzeichen: EP13882315
Anmeldetag: 22. Oktober 2013
Veröffentlichung: 23. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/268H01L29/04H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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