Thin film transistor and manufacturing method thereof

WO2014169621 Art A1 23. Oktober 2014

Anmelder: Peking University Shenzhen Graduate School 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014169621
Aktenzeichen: EP13882308
Anmeldetag: 11. November 2013
Veröffentlichung: 23. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/06H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Peking University Shenzhen Graduate School
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University Shenzhen Graduate School

Die Peking University Shenzhen Graduate School ist eine chinesische Hochschuleinrichtung mit Forschungsschwerpunkt in Shenzhen. Das Patentportfolio verteilt sich auf Nachrichtentechnik und Software, ergänzt um Medizintechnik, Halbleiterbauelemente und organische Chemie. Anmeldungen laufen von 2006 bis in die Gegenwart.

357 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von