Memory cell with bilayer floating gate

WO2014172101 Art A1 23. Oktober 2014

Anmelder: SanDisk Technologies Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014172101
Aktenzeichen: EP14721696
Anmeldetag: 2. April 2014
Veröffentlichung: 23. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L27/115H01L29/423H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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