Defective p-n junction for backgated fully depleted silicon on insulator mosfet

WO2014172159 Art A1 23. Oktober 2014

Anmelder: International Business Machines Corporation, STMicroelectronics, Inc., Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014172159
Aktenzeichen: EP14785544
Anmeldetag: 9. April 2014
Veröffentlichung: 23. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/761H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: International Business Machines Corporation
STMicroelectronics, Inc.
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 IBM

US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Armonk, New York. International Business Machines entwickelt Hardware, Software, Cloud-Dienste sowie Lösungen für künstliche Intelligenz, Halbleiter und Unternehmens-IT.

9.753 Patente in unserer Datenbank

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von