Low-temperature polycrystalline silicon thin film, thin film transistor, preparation method therefor, and display panel

WO2014172963 Art A1 30. Oktober 2014

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014172963
Aktenzeichen: EP13883051
Anmeldetag: 7. Juni 2013
Veröffentlichung: 30. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/205H01L21/20H01L21/268C30B29/06C30B28/00C23C16/24C30B25/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: BOE Technology Group Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von