Storage Element Having Hydrogenated Amorphous Silicon Film

WO2014174938 Art A1 30. Oktober 2014

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014174938
Aktenzeichen: EP14788324
Anmeldetag: 18. März 2014
Veröffentlichung: 30. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von