Voltage initialization of a memory

WO2014175896 Art A1 30. Oktober 2014

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014175896
Aktenzeichen: EP13882847
Anmeldetag: 26. April 2013
Veröffentlichung: 30. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G11C7/10G11C5/14G11C8/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von