Photolithographic, thickness non-uniformity, compensation features for optical photolithographic semiconductor structure formation

WO2014175963 Art A1 30. Oktober 2014

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014175963
Aktenzeichen: EP14710763
Anmeldetag: 4. März 2014
Veröffentlichung: 30. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/027H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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