Charge-trap nor with silicon-rich nitride as a charge trap layer

WO2014176246 Art A1 30. Oktober 2014

Anmelder: Spansion LLC 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014176246
Aktenzeichen: EP14788056
Anmeldetag: 22. April 2014
Veröffentlichung: 30. Oktober 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/792H01L21/8247H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Spansion LLC
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Spansion

Spansion war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf Flash-Speicher spezialisiert war und später in Cypress Semiconductor aufging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Datenspeichertechnik, ergänzt um Software. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2014.

433 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von