Semiconductor energy ray detecting element and method for producing semiconductor energy ray detecting element
WO2014181665
Art A1
13. November 2014
Anmelder: Hamamatsu Photonics K.K. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014181665
- Aktenzeichen
- EP14794911
- Anmeldetag
- 18. April 2014
- Veröffentlichung
- 13. November 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L31/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hamamatsu Photonics K.K.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hamamatsu Photonics
Japanisches Unternehmen für Photonik mit Sitz in Hamamatsu, spezialisiert auf Photodetektoren, Bildsensoren, Laser und optische Messtechnik für Wissenschaft und Industrie.
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