Thin-film transistor and method for manufacturing same
WO2014181777
Art A1
13. November 2014
Anmelder: National Institute for Materials Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014181777
- Aktenzeichen
- EP14794273
- Anmeldetag
- 2. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 13. November 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute for Materials Science
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
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