Nitride Semiconductor Element

WO2014181856 Art A1 13. November 2014

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014181856
Aktenzeichen: EP14795529
Anmeldetag: 9. Mai 2014
Veröffentlichung: 13. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L29/778H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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