Thin-film transistor and preparation method therefor, and array substrate

WO2014183422 Art A1 20. November 2014

Anmelder: BOE Technology Group Co., Ltd., Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014183422
Aktenzeichen: EP13884659
Anmeldetag: 4. Dezember 2013
Veröffentlichung: 20. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L29/423H01L21/336H01L27/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: BOE Technology Group Co., Ltd.
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 BOE Technology

Chinesischer Elektronikkonzern mit Sitz in Peking, entwickelt und fertigt Display-Technologien wie LCD- und OLED-Bildschirme für Endgeräte und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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