Verfahren zum Erzeugen eines Durchkontakts in einem Cmos-Substrat

WO2014184035 Art A1 20. November 2014

Anmelder: Robert Bosch GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014184035
Aktenzeichen: EP14720987
Anmeldetag: 5. Mai 2014
Veröffentlichung: 20. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/768H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Robert Bosch GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Robert Bosch

Deutsches Technologie- und Industrieunternehmen mit Sitz in Gerlingen bei Stuttgart. Fertigt Kraftfahrzeugtechnik, Industrietechnik, Gebrauchsgüter und Haushaltsgeräte sowie Gebäudetechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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