Tft With Insert in Passivation Layer Or Etch Stop Layer

WO2014186295 Art A2 20. November 2014

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014186295
Aktenzeichen: EP14798309
Anmeldetag: 12. Mai 2014
Veröffentlichung: 20. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/336

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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