Igbt with built-in diode

WO2014188569 Art A1 27. November 2014

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2014188569
Aktenzeichen
EP13885063
Anmeldetag
23. Mai 2013
Veröffentlichung
27. November 2014
Rechtsraum
WO
IPC
H01L29/739H01L27/04H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

22.492 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho

Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho, bekannt als Toyota Central R&D Labs, ist die zentrale Forschungseinrichtung des japanischen Toyota-Konzerns. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Metallurgie und Verfahrenstechnik, ergänzt um Werkstoffchemie und Antriebstechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.

431 Patente in unserer Datenbank

Vertreten von

Kein Vertreter erfasst.

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen