Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

WO2014188617 Art A1 27. November 2014

Anmelder: National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014188617
Aktenzeichen: EP13885142
Anmeldetag: 30. Oktober 2013
Veröffentlichung: 27. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/66H01L21/336H01L29/267H01L29/78H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute Of Advanced Industrial Science
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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