Silicon carbide single crystal and manufacturing method therefor

WO2014189008 Art A1 27. November 2014

Anmelder: Hitachi Chemical Company, Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014189008
Aktenzeichen: EP14801001
Anmeldetag: 19. Mai 2014
Veröffentlichung: 27. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B19/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Hitachi Chemical Company, Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Hitachi Chemical

Ehemaliges japanisches Chemieunternehmen, das Materialien für Halbleiter, Batterien und Verbundwerkstoffe herstellte. Ging nach mehreren Umfirmierungen im Konzern Resonac auf.

2.257 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

147 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von