A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

WO2014189360 Art A1 27. November 2014

Anmelder: Mimos, Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014189360
Aktenzeichen: EP14745243
Anmeldetag: 5. Mai 2014
Veröffentlichung: 27. November 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/414

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Mimos, Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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