Processing method for gate dielectric deposited on ge-based or iii-v group compound based substrate

WO2014190771 Art A1 4. Dezember 2014

Anmelder: Peking University 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014190771
Aktenzeichen: EP14804783
Anmeldetag: 8. Januar 2014
Veröffentlichung: 4. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Peking University
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Peking University

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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