Silicon-based substrate, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method
WO2014192228
Art A1
4. Dezember 2014
Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014192228
- Aktenzeichen
- EP14803715
- Anmeldetag
- 2. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/20H01L21/205H01L21/336H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Handotai
Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.
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