Silicon-based substrate, semiconductor device, and semiconductor device manufacturing method

WO2014192228 Art A1 4. Dezember 2014

Anmelder: Sanken Electric Co., Ltd., Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014192228
Aktenzeichen: EP14803715
Anmeldetag: 2. Mai 2014
Veröffentlichung: 4. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/20H01L21/205H01L21/336H01L21/338H01L29/778H01L29/78H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: Sanken Electric Co., Ltd.
Shin-Etsu Handotai Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sanken Electric

Sanken Electric ist ein japanischer Hersteller von Leistungshalbleitern und elektronischen Bauelementen. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiterbauelemente und elektrische Energietechnik, ergänzt durch Schaltungstechnik. Die Titel betreffen unter anderem Siliziumcarbid-Halbleiterbauelemente und deren Herstellung.

289 Patente in unserer Datenbank

🇯🇵 Shin-Etsu Handotai

Japanisches Unternehmen der Shin-Etsu-Gruppe, das Siliziumwafer für die Halbleiterindustrie herstellt.

1.180 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von