Semiconductor substrate, method for producing semiconductor substrate and electronic device

WO2014192311 Art A1 4. Dezember 2014

Anmelder: Sumitomo Chemical Co., Ltd 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014192311
Aktenzeichen: EP14804420
Anmeldetag: 30. Mai 2014
Veröffentlichung: 4. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/316H01L21/28H01L21/283H01L21/318H01L21/336H01L29/423H01L29/49H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Chemical Co., Ltd
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Chemical

Japanischer Chemiekonzern mit Sitz in Tokio, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Petrochemie, Agrochemie, Pharmazeutika, Elektronikmaterialien, Energiematerialien und Kunststoffen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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