Method for growing gallium nitride crystal, composite substrate, method for manufacturing light emitting element, and dissolution preventing jig

WO2014192904 Art A1 4. Dezember 2014

Anmelder: NGK Insulators, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014192904
Aktenzeichen: EP14804470
Anmeldetag: 30. Mai 2014
Veröffentlichung: 4. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/32

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NGK Insulators, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 NGK Insulators

Japanisches Industrieunternehmen mit Sitz in Nagoya. NGK Insulators fertigt Keramikprodukte, darunter Isolatoren, Abgaskatalysatorträger, Sensoren und Energiespeichersysteme für Energieversorgung, Automobil und Industrie.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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