Leuchtdiode mit Passivierungsschicht

WO2014195420 Art A1 11. Dezember 2014

Anmelder: Osram Opto Semiconductors Gmbh 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014195420
Aktenzeichen: EP14728202
Anmeldetag: 5. Juni 2014
Veröffentlichung: 11. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L33/00H01L33/40H01L33/44H01L33/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osram Opto Semiconductors Gmbh
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 OSRAM Opto Semiconductors

Deutsches Unternehmen für optoelektronische Halbleiter mit Sitz in Regensburg, Tochtergesellschaft von OSRAM. Es entwickelt LEDs, Laserdioden und Sensoren für Beleuchtung, Automobil- und Consumer-Elektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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