Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

WO2014196164 Art A1 11. Dezember 2014

Anmelder: Denso Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014196164
Aktenzeichen: EP14807610
Anmeldetag: 28. Mai 2014
Veröffentlichung: 11. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Denso Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Denso

Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.

13.239 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von