Metal nitride material for thermistors, method for producing same, and film-type thermistor sensor
WO2014196583
Art A1
11. Dezember 2014
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014196583
- Aktenzeichen
- EP14808462
- Anmeldetag
- 28. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 11. Dezember 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01C7/04C01G31/00C23C14/06C23C14/34C30B29/38G01K7/22H01C17/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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Vertreten von
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