Thermally optimized phase change memory cells and methods of fabricating the same

WO2014197172 Art A1 11. Dezember 2014

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014197172
Aktenzeichen: EP14807739
Anmeldetag: 12. Mai 2014
Veröffentlichung: 11. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L27/115H01L21/324G11C13/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

5.073 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von