Production method for silicon carbide single crystal
WO2014199571
Art A1
18. Dezember 2014
Anmelder: Denso Corporation, Central Research Institute of Electric Power Industry 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014199571
- Aktenzeichen
- EP14811287
- Anmeldetag
- 22. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 18. Dezember 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B25/16
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Denso Corporation
Central Research Institute of Electric Power Industry - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Denso
Japanischer Automobilzulieferer mit Sitz in Kariya (Präfektur Aichi). Denso entwickelt Antriebs, Klima, Sicherheits und Elektroniksysteme für Fahrzeuge sowie Komponenten für Elektromobilität, Fahrerassistenz und Halbleitertechnik.
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