Transistor gate and process for making transistor gate

WO2014200663 Art A1 18. Dezember 2014

Anmelder: SanDisk Technologies, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014200663
Aktenzeichen: EP14730375
Anmeldetag: 16. Mai 2014
Veröffentlichung: 18. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/49

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SanDisk Technologies, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 SanDisk

US-amerikanischer Hersteller von Flash-Speicherprodukten wie SSDs, Speicherkarten und USB-Sticks. Das Unternehmen war zeitweise Teil von Western Digital und agiert seit 2025 wieder eigenständig.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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