Mask blank substrate, mask blank, transfer mask, manufacturing methods therefor, and manufacturing method for semiconductor device
WO2014203961
Art A1
24. Dezember 2014
Anmelder: HOYA Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2014203961
- Aktenzeichen
- EP14813959
- Anmeldetag
- 19. Juni 2014
- Veröffentlichung
- 24. Dezember 2014
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- G03F1/60C03C17/09C03C19/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- HOYA Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hoya
Japanischer Konzern mit Sitz in Tokio, aktiv in den Bereichen optische Gläser, Halbleiterfotomasken und medizinische Endoskopie- sowie Augenheilkundeprodukte.
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