Non-planar semiconductor device having doped sub-fin region and method to fabricate same

WO2014204477 Art A1 24. Dezember 2014

Anmelder: INTEL Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014204477
Aktenzeichen: EP13887306
Anmeldetag: 20. Juni 2013
Veröffentlichung: 24. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: INTEL Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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