Composition for film formation use, resist underlayer film and method for formation thereof, pattern formation method, and compound

WO2014208324 Art A1 31. Dezember 2014

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014208324
Aktenzeichen: EP14817476
Anmeldetag: 9. Juni 2014
Veröffentlichung: 31. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: C08F38/00C07C15/50C07C33/38C07C211/53G03F7/11H01L21/027

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Kunststoff- & Polymertechnik Optik & Fototechnik Organische Chemie

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