Metal electrode with high aspect ratio structures and method of fabricating the same

WO2014209098 Art A1 31. Dezember 2014

Anmelder: Mimos, Berhad 🇲🇾

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2014209098
Aktenzeichen: EP14730221
Anmeldetag: 30. April 2014
Veröffentlichung: 31. Dezember 2014
Rechtsraum: WO
IPC: G01N27/07G01N27/22G01N27/30H01L21/027H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Mimos, Berhad
Land: 🇲🇾 Malaysia

🇲🇾 Mimos Berhad

Malaysisches staatliches Forschungsinstitut für Informations- und Kommunikationstechnologie mit Sitz in Kuala Lumpur. Die Patente decken Halbleitertechnik, Mikroelektronik und IT-Sicherheit ab.

929 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

Vertreten von