A gate drive circuit and a method for setting up a gate drive circuit

WO2015001373 Art A1 8. Januar 2015

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015001373
Aktenzeichen: EP13767071
Anmeldetag: 4. Juli 2013
Veröffentlichung: 8. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H03K17/06H02M1/08

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

2.392 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektrische Energietechnik Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von