Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

WO2015001863 Art A1 8. Januar 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2015001863
Aktenzeichen: EP14819784
Anmeldetag: 23. Mai 2014
Veröffentlichung: 8. Januar 2015
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L21/3205H01L21/336H01L21/768H01L23/522H01L23/532H01L29/12H01L29/417H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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